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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BR2510
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BR2510

产品描述25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB，共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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BR2510概述

25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

BR2510规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流25 A
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO

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BR2500 - BR2510
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 25 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
BR50
0.728(18.50)
0.688(17.40)
0.570(14.50)
0.530(13.40)
0.685(16.70) 1.130(28.70)
0.618(15.70) 1.120(28.40)
* Pb / RoHS Free
MECHANICAL DATA :
* Case : Molded plastic with heatsink integrally
mounted in the bridge encapsulation
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Bolt down on heat-sink with
silicone thermal compound between bridge
and mounting surface for maximum heat
transfer efficiency.
* Weight : 17.1 grams
0.658(16.70)
0.618(15.70)
0.032(0.81)
0.028(0.71)
0.210(5.30)
0.200(5.10)
0.252(6.40)
0.248(6.30)
φ
0.100(2.50)
0.090(2.30)
0.905(23.0)
0.826(21.0)
0.310(7.87)
0.280(7.11)
Metal Heatsink
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current Tc = 55
°
C
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Current Squared Time at t < 8.3 ms.
Maximum Forward Voltage per Diode at I
F
= 12.5 A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes :
Ta = 25
°
C
Ta = 100
°
C
SYMBOL BR2500 BR2501 BR2502 BR2504 BR2506 BR2508 BR2510
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
S
V
V
RRM
V
RMS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
25
300
375
1.1
10
200
1.45
- 40 to + 150
- 40 to + 150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
I
R(H)
R
θ
JC
T
J
T
STG
µ
A
µ
A
°
C/W
°
C
°
C
1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 5" x 6" x 4.9" (12.8cm.x 15.2cm.x 12.4cm.) Al.-Finned Plate
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 24, 2005

BR2510相似产品对比

BR2510 BR2500 BR2504 BR2508 BR2501 BR2502 BR2506 BR2500_05
描述 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 - 符合 符合 -
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] -
Reach Compliance Code compli - compliant compli - compliant compli -
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS -
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1 V - 1.1 V 1.1 V - 1.1 V 1.1 V -
最大非重复峰值正向电流 400 A - 300 A 300 A - 300 A 300 A -
元件数量 4 - 4 4 - 4 4 -
最大输出电流 25 A - 25 A 25 A - 25 A 25 A -
最大重复峰值反向电压 1000 V - 400 V 800 V - 200 V 600 V -
表面贴装 NO - NO NO - NO NO -

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