0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C |
最大输出电流 | 0.25 A |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs |
表面贴装 | NO |
BAV20 | BAV19 | BAV21 | |
---|---|---|---|
描述 | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
配置 | SINGLE | SINGLE | - |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | - |
最大输出电流 | 0.25 A | 0.25 A | - |
最大重复峰值反向电压 | 200 V | 120 V | - |
最大反向恢复时间 | 0.05 µs | 0.05 µs | - |
表面贴装 | NO | NO | - |
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