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BAV20

产品描述0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小29KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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BAV20概述

0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

BAV20规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.25 A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO

BAV20相似产品对比

BAV20 BAV19 BAV21
描述 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.25 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compli compli compli
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 符合 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE SINGLE -
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V -
元件数量 1 1 -
最高工作温度 175 °C 175 °C -
最大输出电流 0.25 A 0.25 A -
最大重复峰值反向电压 200 V 120 V -
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs -
表面贴装 NO NO -
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