0.3 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
0.3 A, 2 组成, 硅, 信号二极管
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 0.2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.29 W |
最大重复峰值反向电压 | 30 V |
最大反向恢复时间 | 0.005 µs |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
BAT54A | BAT54S | BAT54C | |
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描述 | 0.3 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE | 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE | 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] | EIC [EIC discrete Semiconductors] |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
配置 | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.29 W | 0.29 W | 0.29 W |
最大重复峰值反向电压 | 30 V | 30 V | 30 V |
最大反向恢复时间 | 0.005 µs | 0.005 µs | 0.005 µs |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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