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BAS21

产品描述SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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BAS21概述

SIGNAL DIODE

信号二极管

BAS21规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压250 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

BAS21相似产品对比

BAS21 BAS19 BAS20
描述 SIGNAL DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compli compli compli
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W 0.25 W
最大重复峰值反向电压 250 V 120 V 200 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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