电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5406

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5406在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5406 - - 点击查看 点击购买

1N5406概述

Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 600V V(RRM),

1N5406规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO

文档预览

下载PDF文档
1N5400 - 1N5408
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 3.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Pb / RoHS Free
SILICON RECTIFIER DIODES
DO - 201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.83)
1.00 (25.4)
MIN.
0.375 (9.53)
0.285 (7.24)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-201AD Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.929 grams
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75
°C
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine wave Superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 3.0 Amps.
Maximum DC Reverse Current
at rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance (Note2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes :
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5406 1N5407 1N5408
UNIT
V
V
V
A
A
V
µA
µA
pF
°C/W
°C
°C
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
200
0.95
5.0
50
28
15
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
Typical Junction Capacitance (Note1)
- 65 to + 175
- 65 to + 175
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V
DC
(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 25, 2005

1N5406相似产品对比

1N5406 1N5400 1N5402 1N5408
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1 V 1 V 1.2 V
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 1 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 600 V 50 V 200 V 1000 V
表面贴装 NO NO NO NO

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 323  274  2529  1850  868  19  35  50  13  37 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved