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CD54HC4316F

产品描述CD54HC4316F
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小463KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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CD54HC4316F概述

CD54HC4316F

CD54HC4316F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codenot_compliant
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e0
正常位置NO
功能数量4
端子数量16
最大通态电阻 (Ron)270 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出SEPARATE OUTPUT
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源2/6,GND/-6 V
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
最长接通时间205 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

CD54HC4316F相似产品对比

CD54HC4316F CD54HCT4316F CD54HC4316H
描述 CD54HC4316F CD54HCT4316F CD54HC4316H
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown
正常位置 NO NO NO
功能数量 4 4 4
最大通态电阻 (Ron) 270 Ω 480 Ω 270 Ω
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
输出 SEPARATE OUTPUT SEPARATE OUTPUT SEPARATE OUTPUT
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIE OR CHIP
电源 2/6,GND/-6 V 5 V 2/6,GND/-6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最长接通时间 205 ns 56 ns 205 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 -
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 -
JESD-609代码 e0 e0 -
端子数量 16 16 -
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC -
封装代码 DIP DIP -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE IN-LINE -
表面贴装 NO NO -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm -
端子位置 DUAL DUAL -

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