35OHM, Low-Voltage, SPST/SPDT Analog Switches in UCSP Package
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 1.50 X 1.02 MM, 0.50 MM PITCH, BUMP, UCSP-6 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | _compli |
Factory Lead Time | 1 week |
模拟集成电路 - 其他类型 | SPDT |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B6 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 1.98 mm |
湿度敏感等级 | 1 |
信道数量 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
标称断态隔离度 | 75 dB |
通态电阻匹配规范 | 1 Ω |
最大通态电阻 (Ron) | 35 Ω |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA6,2X3,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.67 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
最长断开时间 | 25 ns |
最长接通时间 | 80 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 1.75 mm |
MAX4698EBT | MAX4696 | MAX4697EBT | MAX4696EBT | |
---|---|---|---|---|
描述 | 35OHM, Low-Voltage, SPST/SPDT Analog Switches in UCSP Package | 35OHM, Low-Voltage, SPST/SPDT Analog Switches in UCSP Package | 35OHM, Low-Voltage, SPST/SPDT Analog Switches in UCSP Package | 35OHM, Low-Voltage, SPST/SPDT Analog Switches in UCSP Package |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) | - | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | BGA | - | BGA | BGA |
包装说明 | 1.50 X 1.02 MM, 0.50 MM PITCH, BUMP, UCSP-6 | - | 1.50 X 1.02 MM, 0.50 MM PITCH, BUMP, UCSP-6 | 1.50 X 1.02 MM, 0.50 MM PITCH, BUMP, UCSP-6 |
针数 | 6 | - | 6 | 6 |
Reach Compliance Code | _compli | - | _compli | _compli |
模拟集成电路 - 其他类型 | SPDT | - | SPST | SPST |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B6 | - | R-PBGA-B6 | R-PBGA-B6 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
长度 | 1.98 mm | - | 1.98 mm | 1.98 mm |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 | 1 |
信道数量 | 1 | - | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 6 | - | 6 | 6 |
标称断态隔离度 | 75 dB | - | 75 dB | 75 dB |
最大通态电阻 (Ron) | 35 Ω | - | 35 Ω | 35 Ω |
最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | - | VFBGA | VFBGA |
封装等效代码 | BGA6,2X3,20 | - | BGA6,2X3,20 | BGA6,2X3,20 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | - | 240 | 240 |
电源 | 3/5 V | - | 3/5 V | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.67 mm | - | 0.67 mm | 0.67 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V | - | 2 V | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | 3 V |
表面贴装 | YES | - | YES | YES |
最长断开时间 | 25 ns | - | 25 ns | 25 ns |
最长接通时间 | 80 ns | - | 80 ns | 80 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | - | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | - | NOT SPECIFIED | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL | - | BALL | BALL |
端子节距 | 0.5 mm | - | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | - | 20 | 20 |
宽度 | 1.75 mm | - | 1.75 mm | 1.75 mm |
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