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RB521S30T1_05

产品描述0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小86KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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RB521S30T1_05概述

0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 30 V, 硅, 信号二极管

RB521S30T1_05规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 502-01, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
二极管元件材料
最大功耗极限0.2000 W
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压30 V
最大平均正向电流0.2000 A

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RB521S30
Schottky Barrier Diode
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature
surface mount package is excellent for hand−held and portable
applications where space is limited.
Features
www.onsemi.com
Extremely Fast Switching Speed
Extremely Low Forward Voltage 0.5 V (max) @ I
F
= 200 mA
Low Reverse Current
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Reverse Voltage
Forward Current DC
Peak Forward Surge Current (Note 1)
Symbol
V
R
I
F
I
FSM
Value
30
200
1.0
Unit
Vdc
mA
A
30 V SCHOTTKY
BARRIER DIODE
SOD−523
CASE 502
1
CATHODE
2
ANODE
MARKING DIAGRAM
5M MG
G
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. 60 Hz for 1 cycle.
1
5M
M
G
2
= Device Code
= Date Code*
= Pb−Free Package
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR−5 Board,
(Note 2)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature
Range
2. FR−5 Minimum Pad.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Symbol
P
D
200
1.57
R
qJA
T
J
, T
stg
635
−55
to +125
mW
mW/°C
°C/W
°C
Max
Unit
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation may vary depending up-
on manufacturing location.
ORDERING INFORMATION
Device
RB521S30T1G
Package
Shipping
SOD−523 3000/Tape & Reel
(Pb−Free)
NSVRB521S30T1G SOD−523 3000/Tape & Reel
(Pb−Free)
RB521S30T5G
SOD−523 8000/Tape & Reel
(Pb−Free)
NSVRB521S30T5G SOD−523 8000/Tape & Reel
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
September, 2018
Rev. 11
1
Publication Order Number:
RB521S30T1/D
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