PD57030-E_10,PD57030-E_10 pdf中文资料,PD57030-E_10引脚图,PD57030-E

Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> PD57030-E_10

PD57030-E_10: 产品描述UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小485KB，共18页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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PD57030-E_10概述

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

超高频波段, 硅, N沟道, 射频功率, 场效应管

PD57030-E_10规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
最小击穿电压	65 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, POWER, PLASTIC, SO-2
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	MATTE TIN
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE
壳体连接	SOURCE
元件数量	1
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
通道类型	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT
晶体管类型	RF POWER
最大漏电流	4 A
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND

PD57030-E_10相似产品对比

	PD57030-E_10	PD57030TR-E	PD57030STR-E
描述	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
端子数量	2	2	2
表面贴装	Yes	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
元件数量	1	1	1
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
是否无铅	-	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	-	符合	符合
厂商名称	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	-	SOT	SOT
包装说明	-	ROHS COMPLIANT, POWER, PLASTIC, SO-2	ROHS COMPLIANT, POWER, PLASTIC, SO-2
针数	-	2	2
Reach Compliance Code	-	compli	compli
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
其他特性	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	-	SOURCE	SOURCE
配置	-	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	-	65 V	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	4 A	4 A
最大漏极电流 (ID)	-	4 A	4 A
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	-	R-PDSO-G2	R-PDSO-F2
JESD-609代码	-	e3	e3
湿度敏感等级	-	3	3
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	-	165 °C	165 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	-	52.8 W	52.8 W
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
端子面层	-	MATTE TIN	MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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