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NSG30620

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-257,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小26KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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NSG30620概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-257,

NSG30620规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)570 ns
JEDEC-95代码TO-257
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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