NSS40301MZ4
Bipolar Power Transistors
40 V, 3.0 A, Low V
CE(sat)
NPN Transistor
ON Semiconductor’s e
2
PowerEdge family of low V
CE(sat)
transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation
voltage (V
CE(sat)
) and high current gain capability. These are designed
for use in low voltage, high speed switching applications where
affordable efficient energy control is important.
Typical applications are DC−DC converters and power management
in portable and battery powered products such as cellular and cordless
phones, PDAs, computers, printers, digital cameras and MP3 players.
Other applications are low voltage motor controls in mass storage
products such as disc drives and tape drives. In the automotive
industry they can be used in air bag deployment and in the instrument
cluster. The high current gain allows e
2
PowerEdge devices to be
driven directly from PMU’s control outputs, and the Linear Gain
(Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.
Features
http://onsemi.com
NPN TRANSISTOR
3.0 AMPERES
40 VOLTS, 2.0 WATTS
C 2,4
B1
E3
•
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Schematic
MARKING
DIAGRAM
SOT−223
CASE 318E
STYLE 1
A
Y
W
40301
G
AYW
40301G
1
= Assembly Location
Year
= Work Week
= Specific Device Code
= Pb−Free Package
PIN ASSIGNMENT
4
C
B
1
C
2
E
3
Top View Pinout
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
September, 2010
−
Rev. 1
1
Publication Order Number:
NSS40301MZ4/D
NSS40301MZ4
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Rating
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
B
Value
40
40
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
6.0
1.0
3.0
5.0
Base Current
−
Continuous
Collector Current
−
Continuous
Collector Current
−
Peak
I
C
Total Power Dissipation
Total P
D
@ T
A
= 25°C mounted on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material
Total P
D
@ T
A
= 25°C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material
Operating and Storage Junction Temperature Range
P
D
2.0
0.80
W
T
J
, T
stg
– 55 to + 150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Case
−
Junction−to−Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material
−
Junction−to−Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
R
qJA
R
qJA
T
L
64
155
°C/W
260
°C
ORDERING INFORMATION
Device
NSS40301MZ4T1G
NSS40301MZ4T3G
Package
SOT−223
(Pb−Free)
SOT−223
(Pb−Free)
Shipping
†
1000 / Tape & Reel
4000 / Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
ms,
Duty Cycle
≤
2%.
2. f
T
= |h
FE
|
•
f
test
2.5
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
OFF CHARACTERISTICS
P
D
, POWER DISSIPATION (W)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Current−Gain
−
Bandwidth Product (Note 2)
(I
C
= 500 mA, V
CE
= 10 V, F
test
= 1.0 MHz)
Input Capacitance
(V
EB
= 5.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
DC Current Gain
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
Base−Emitter On Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 0.5 Adc, I
B
= 50 mAdc)
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 20 mAdc)
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 6.0 Vdc)
Collector Cutoff Current (V
CB
= 40 Vdc)
Emitter−Base Voltage (I
E
= 50
mAdc,
I
C
= 0 Adc)
Collector−Emitter Sustaining Voltage (I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0 Adc)
Characteristic
0.5
1.0
1.5
2.0
0
25
50
Figure 1. Power Derating
T
C
T
A
T
J
, TEMPERATURE (°C)
http://onsemi.com
NSS40301MZ4
75
3
100
125
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
V
EBO
I
CBO
I
EBO
C
ob
h
FE
C
ib
f
T
150
Min
220
200
100
6.0
40
Typ
215
170
25
0.050
0.100
0.200
Max
500
100
100
0.9
1.0
nAdc
nAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
NSS40301MZ4
TYPICAL CHARACTERISTICS
600
500
400
300
200
−55°C
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
25°C
150°C
V
CE
= 1 V
h
FE
, DC CURRENT GAIN
700
600
500
400
300
200
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
−55°C
25°C
150°C
V
CE
= 4 V
h
FE
, DC CURRENT GAIN
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 2. DC Current Gain
1
V
CE(sat)
, COLLECTOR−EMITTER
SATURATION VOLTAGE (V)
V
CE(sat)
, COLLECTOR−EMITTER
SATURATION VOLTAGE (V)
I
C
/I
B
= 10
25°C
0.1
−55°C
150°C
1
I
C
/I
B
= 50
Figure 3. DC Current Gain
150°C
0.1
25°C
−55°C
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage
1
V
CE(sat)
, COLLECTOR−EMITTER
SATURATION VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Collector−Emitter Saturation Voltage
V
BE(on)
, EMITTER−BASE VOLTAGE (V)
V
CE
= 2 V
1.0
−55°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
150°C
I
C
= 3 A
0.1
1A
0.5 A
0.1 A
0.001
0.01
0.1
1.0
2A
25°C
0.01
0.0001
0.01
0.1
1
10
I
B
, BASE CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 6. Collector Saturation Region
Figure 7. V
BE(on)
Voltage
http://onsemi.com
4
NSS40301MZ4
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.4
V
BE(sat)
, EMITTER−BASE
SATURATION VOLTAGE (V)
V
BE(sat)
, EMITTER−BASE
SATURATION VOLTAGE (V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
150°C
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
−55°C
I
C
/I
B
= 10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
150°C
0.01
0.1
1
10
−55°C
I
C
/I
B
= 50
25°C
25°C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 8. Base−Emitter Saturation Voltage
450
C
ibo
, INPUT CAPACITANCE (pF)
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
C
obo
, OUTPUT CAPACITANCE (pF)
T
J
= 25°C
f
test
= 1 MHz
100
80
60
40
20
0
Figure 9. Base−Emitter Saturation Voltage
T
J
= 25°C
f
test
= 1 MHz
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
EB
, EMITTER BASE VOLTAGE (V)
V
CB
, COLLECTOR BASE VOLTAGE (V)
Figure 10. Input Capacitance
240
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
f
Tau
, CURRENT BANDWIDTH
PRODUCT (MHz)
200
160
120
80
40
0
0.001
T
J
= 25°C
f
test
= 1 MHz
V
CE
= 10 V
10
Figure 11. Output Capacitance
0.5 ms
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
1
10
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 12. Current−Gain Bandwidth Product
Figure 13. Safe Operating Area
http://onsemi.com
5