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NSG41270A

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小25KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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NSG41270A概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN

NSG41270A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-258
包装说明TO-258, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)70 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)500 ns
JEDEC-95代码TO-258AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

NSG41270A相似产品对比

NSG41270A NSG41065
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, TO-258, 3 PIN
厂商名称 Microsemi Microsemi
零件包装代码 TO-258 TO-258
包装说明 TO-258, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 70 A 65 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1000 V
配置 SINGLE SINGLE
最大降落时间(tf) 500 ns 300 ns
JEDEC-95代码 TO-258AA TO-258AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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