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DPS64X16P-35C

产品描述SRAM Module, 64KX16, 35ns, CMOS, CDIP40
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文件大小348KB,共6页
制造商Twilight Technology Inc
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DPS64X16P-35C概述

SRAM Module, 64KX16, 35ns, CMOS, CDIP40

DPS64X16P-35C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Twilight Technology Inc
包装说明DIP, DIP40,.9
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T40
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.9
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.04 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.4 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

DPS64X16P-35C相似产品对比

DPS64X16P-35C
描述 SRAM Module, 64KX16, 35ns, CMOS, CDIP40
厂商名称 Twilight Technology Inc
包装说明 DIP, DIP40,.9
Reach Compliance Code unknown
最长访问时间 35 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T40
内存密度 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE
内存宽度 16
端子数量 40
字数 65536 words
字数代码 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
组织 64KX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP40,.9
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
电源 5 V
认证状态 Not Qualified
最大待机电流 0.04 A
最小待机电流 4.5 V
最大压摆率 0.4 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL

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