电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MMBD6100LT1G_09

产品描述0.2 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小112KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 全文预览

MMBD6100LT1G_09概述

0.2 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

0.2 A, 70 V, 2 组成, 硅, 信号二极管, TO-236AB

MMBD6100LT1G_09规格参数

参数名称属性值
端子数量3
元件数量2
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
最大功耗极限0.2250 W
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0040 us
最大重复峰值反向电压70 V
最大平均正向电流0.2000 A

文档预览

下载PDF文档
MMBD6100LT1G
Monolithic Dual
Switching Diode
Features
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)
Rating
Reverse Voltage
Forward Current
Peak Forward Surge Current
Symbol
V
R
I
F
I
FM(surge)
Value
70
200
500
Unit
Vdc
mAdc
mAdc
http://onsemi.com
ANODE
1
2
ANODE
3
CATHODE
3
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation, FR−5 Board
(Note 1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Total Device Dissipation Alumina Substrate
(Note 2)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
stg
417
−55
to +150
mW
mW/°C
°C/W
°C
1
556
mW
mW/°C
°C/W
Max
Unit
SOT−23
CASE 318
STYLE 9
MARKING DIAGRAM
5B M
G
G
5B
= Specific Device Code
M
= Date Code*
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. FR−5 = 1.0

0.75

0.062 in.
2. Alumina = 0.4

0.3

0.024 in. 99.5% alumina.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I
(BR)
= 100
mAdc)
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 50 Vdc)
(For each individual diode while the
second diode is unbiased)
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mAdc)
(I
F
= 100 mAdc)
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc)
(Figure 1)
Capacitance
(V
R
= 0 V)
V
(BR)
I
R
70
0.1
Vdc
mAdc
Symbol
Min
Max
Unit
ORDERING INFORMATION
Device
MMBD6100LT1G
MMBD6100LT3G
V
F
0.7
1.1
4.0
Vdc
Package
SOT−23
(Pb−Free)
Shipping
3000/Tape & Reel
SOT−23 10,000/Tape & Reel
(Pb−Free)
0.55
0.8
t
rr
ns
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
C
2.5
pF
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009
August, 2009
Rev. 3
1
Publication Order Number:
MMBD6100LT1/D
cc2530 四个节点互相通信(采集温度)
采集温度 ,互相发送。具体怎么弄,求代码...
yukang_10 无线连接
中文手册坑人啊,还是啃英文原版的吧。。。。
看图,中文版是在坛子里下的周立功版的 截图里包括了页码,是描述RCC这个寄存器的; 82201 82202 ...
MouseCat 微控制器 MCU
EE水军团年终奖(芯币)发放帖
明天就过年了,年终奖来得有点迟,而且也没多少,就是意思意思。 祝大家在新的一年里,技术更上一层楼,工资翻倍。 ...
lcofjp 聊聊、笑笑、闹闹
【信号处理】VGA彩条信号发生器
79184...
37°男人 FPGA/CPLD
TMP006的应用
TMP006,温度传感器,现在不知道有个管脚DRDY是做什么的?跟控制芯片怎么连?我看网上都用的是MSP430的单片机,我现在用的是cc2541,请问可行么?...
矮木思壮 微控制器 MCU
招收相关技术人员的相关通知
为了更好的做大开源机器人DIY,我们目前诚心招收一批对开源机器人感兴趣的EE坛友,相关能力主要包括具备PCB设计能力,驱动开发能力,软件美工能力,算法研究能力,上位机软件开发能力,机械设计 ......
wateras1 机器人开发

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1862  2424  2216  1168  2256  52  27  26  39  15 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved