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SIHFR9010T

产品描述TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHFR9010T概述

TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose Power

SIHFR9010T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)136 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.3 A
最大漏极电流 (ID)5.3 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SIHFR9010T相似产品对比

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描述 TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3, FET General Purpose Power TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 符合 不符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 TO-251 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 136 mJ 136 mJ 136 mJ 136 mJ 136 mJ 136 mJ 136 mJ 136 mJ 136 mJ 136 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A
最大漏极电流 (ID) 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A 5.3 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 TO-251 TO-251 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e3 e3 e3 e3 e0 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260 260 260 260 240 260 260 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 21 A 21 A 21 A 21 A 21 A 21 A 21 A 21 A 21 A 21 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES NO NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40 40 40 40 30 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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