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IRC640-009PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 5 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小38KB,共1页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准  
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IRC640-009PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 5 PIN

IRC640-009PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-220
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN CURRENT AND KELVIN SENSOR
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T5
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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