Silicon Carbide Diode 650V 10A PQFN 88, 3000-REEL
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | S-PSSO-N4 |
制造商包装代码 | 483AP |
Reach Compliance Code | compliant |
应用 | EFFICIENCY |
外壳连接 | CATHODE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON CARBIDE |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.7 V |
JESD-30 代码 | S-PSSO-N4 |
最大非重复峰值正向电流 | 49 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 13.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散 | 98 W |
最大重复峰值反向电压 | 650 V |
最大反向电流 | 40 µA |
反向测试电压 | 650 V |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | SINGLE |
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