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GBL06

产品描述3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小307KB,共2页
制造商PFS
官网地址http://www.ps-pfs.com/ENG/main.asp
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GBL06概述

3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBL06
塑封硅整流桥堆
反向电压
600V
正向电流
4.0A
GBL
20 ± 0.3
3.5 ± 0.2
Single-phase Silicon Bridge Rectifier
Reverse Voltage 600 V
Forward Current 4A
特征
Features
·½的反向漏电流
Low reverse leakage
Surge
overload rating:170 Amperes peak
·较强的正向浪涌承受½力
High forward surge capability
·浪涌承受½力:170 A
·引线和管½皆符合ROHS标准 。
Lead and body according with ROHS standard
2.5 ± 0.2
1.5 ± 0.2
1.0 ± 0.1
+
~
~
-
2.5 ± 0.2
13.5 ± 0.5
11 ± 0.3
1.0 ± 0.2
0.5 ± 0.1
机械数据
Mechanical Data
·封装:
塑料封装
Case: Molded Plastic
·极性:
标记模压或印于本½
Polarity: Symbols molded or marked on body
·安装½½:
任意
Mounting Position: Any
5.0 ± 0.2 5.0 ± 0.2 5.0 ± 0.2
Unit:mm
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Symbols
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
@TA = 75℃
最大反向峰值电流
Maximum
peak
reverse current full cycle
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
GBL06
600
420
600
4.0
150
30
15
单½
Unit
V
V
V
A
A
µA
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
R(AV)
R
θJA
Tj, TSTG
典型热阻
Typical thermal resistance
工½结温和存储温度
Operating junction and storage temperature range
-55 --- +150
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
GBL06
1.1
5
500
40
单½
Unit
V
µA
I
F
= 4.0A
TA= 25℃
TA=125℃
V
F
最大反向电流
Maximum reverse current
典型结电容
V
R
=
4.0V, f = 1MHz
Type junction capacitance
I
R
Cj
pF
Web: www.ps-pfs.com http://ps-pfs.en.alibaba.com/
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