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IRL3714LTRR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共12页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRL3714LTRR概述

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

IRL3714LTRR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)72 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)36 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD - 94175A
SMPS MOSFET
IRL3714
IRL3714S
IRL3714L
HEXFET
®
Power MOSFET
Applications
l
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
l
l
l
V
DSS
20V
R
DS(on)
max
20mΩ
I
D
36A
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRL3714
D
2
Pak
IRL3714S
TO-262
IRL3714L
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
I
D
@ T
C
I
DM
P
D
@T
C
P
D
@T
C
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current

Maximum Power Dissipation
ƒ
Maximum Power Dissipation
ƒ
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
± 20
36
31
140
47
33
0.31
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
W/°C
°C
= 25°C
= 70°C
= 25°C
= 70°C
T
J
, T
STG
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
„
Junction-to-Ambient
„
Junction-to-Ambient (PCB mount)
…
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
3.2
–––
62
40
Units
°C/W
Notes

through
†
are on page 11
www.irf.com
1
06/19/01

IRL3714LTRR相似产品对比

IRL3714LTRR IRL3714STRL IRL3714LTRL IRL3714TRL IRL3714TRR
描述 Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN mosfet N-CH 20v 36a d2pak Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 72 mJ 72 mJ 72 mJ 72 mJ 72 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 36 A 36 A 36 A 36 A 36 A
最大漏源导通电阻 0.02 Ω 0.02 Ω 0.02 Ω 0.02 Ω 0.02 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED 225 225
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 140 A 140 A 140 A 140 A 140 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES NO NO NO
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅
零件包装代码 TO-262AA - TO-262AA TO-220AB TO-220AB
JEDEC-95代码 TO-262AA - TO-262AA TO-220AB TO-220AB
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