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IRFF9113

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 80V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFF9113概述

Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 80V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

IRFF9113规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)2.3 A
最大漏源导通电阻1.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
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