IRGTIN150M06概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

IRGTIN150M06规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X7
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	200 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-MUPM-X7
元件数量	2
端子数量	7
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	658 W
最大功率耗散 (Abs)	658 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	2 V

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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