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BCW60CLT3

产品描述100mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BCW60CLT3概述

100mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BCW60CLT3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)125 MHz
最大关闭时间(toff)800 ns
最大开启时间(吨)150 ns
VCEsat-Max0.55 V

BCW60CLT3相似产品对比

BCW60CLT3 BCW60CLT1
描述 100mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 4.5 pF 4.5 pF
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 90 90
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 125 MHz
最大关闭时间(toff) 800 ns 800 ns
最大开启时间(吨) 150 ns 150 ns
VCEsat-Max 0.55 V 0.55 V

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