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GM23C32001-12

产品描述MASK ROM, 4MX8, 120ns, CMOS, PDIP36,
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文件大小89KB,共4页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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GM23C32001-12概述

MASK ROM, 4MX8, 120ns, CMOS, PDIP36,

GM23C32001-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T36
JESD-609代码e0
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
端子数量36
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP36,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.1 A
最大压摆率0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

GM23C32001-12相似产品对比

GM23C32001-12
描述 MASK ROM, 4MX8, 120ns, CMOS, PDIP36,
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士)
Reach Compliance Code compliant
最长访问时间 120 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T36
JESD-609代码 e0
内存密度 33554432 bit
内存集成电路类型 MASK ROM
内存宽度 8
端子数量 36
字数 4194304 words
字数代码 4000000
最高工作温度 70 °C
组织 4MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP36,.6
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
电源 5 V
认证状态 Not Qualified
最大待机电流 0.1 A
最大压摆率 0.1 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL

 
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