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BLV99: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.205 INCH, PM-4; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小23KB，共1页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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BLV99概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.205 INCH, PM-4

参数名称	属性值
厂商名称	Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.3 A
基于收集器的最大容量	3.5 pF
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-CRPM-F4
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	5.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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