NTF6P02T3-D,NTF6P02T3-D pdf中文资料,NTF6P02T3-D引脚图,NTF6P02T3-D电路-Datasheet-电子工程世界

NTF6P02T3-D: 产品描述10 A, 20 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小110KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NTF6P02T3-D概述

10 A, 20 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA

10 A, 20 V, 0.05 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-261AA

	NTF6P02T3-D	NTF6P02T3-D_10
描述	10 A, 20 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA	10 A, 20 V, 0.05 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
端子数量	4	4
最小击穿电压	20 V	20 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN	ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	矩形的	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子涂层	MATTE 锡	MATTE 锡
端子位置	双	双
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接	DRAIN	DRAIN
元件数量	1	1
晶体管应用	开关	开关
晶体管元件材料	硅	硅
最大环境功耗	8.3 W	8.3 W
通道类型	P沟道	P沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源	通用电源
最大漏电流	10 A	10 A
额定雪崩能量	150 mJ	150 mJ
最大漏极导通电阻	0.0500 ohm	0.0500 ohm
最大漏电流脉冲	35 A	35 A

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W