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2N6130

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共1页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2N6130概述

Transistor,

2N6130规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)7 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)2.5 MHz
Base Number Matches1

2N6130相似产品对比

2N6130 2N6109 2N5069 2N6132 2N6133 2N5872 2N5877 2N5874 2N5871
描述 Transistor, Transistor, Transistor, Transistor, Transistor, Transistor, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli unknow compli compli
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A 5 A 7 A 7 A 7 A 8 A 7 A 7 A
配置 Single Single Single Single Single Single SINGLE Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 20 30 20 20 20 20 20 20 20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 175 °C 150 °C 150 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
极性/信道类型 NPN PNP NPN PNP PNP PNP NPN NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 50 W 40 W 88 W 50 W 50 W 100 W 150 W 100 W 100 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 2.5 MHz 10 MHz 4 MHz 2.5 MHz 2.5 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz 4 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1 1
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