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SZ30B8

产品描述SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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SZ30B8概述

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

SZ30B8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗900 Ω
元件数量1
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散1.5 W
标称参考电压180 V
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差10%
工作测试电流2.1 mA
Base Number Matches1

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SZ303D - SZ30D0
V
Z
: 3.3 - 200 Volts
P
D
: 1.5 Watts
FEATURES :
* Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
SURFACE MOUNT SILICON
ZENER DIODES
SMA (DO-214AC)
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
MECHANICAL DATA
* Case : SMA (DO-214AC) Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Lead formed for Surface mount
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.064 grams
2.0
±
0.2
Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
DC Power Dissipation at T
L
= 75
°C
(Note1)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
V
F
T
J
Ts
Value
1.5
1.5
- 55 to + 150
- 55 to + 150
Unit
W
V
°C
°C
Note :
(1) T
L
= Lead temperature at 5.0 mm
2
( 0.013 mm thick ) copper land areas.
Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE
P
D
, MAXIMUM DISSIPATION
(WATTS)
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
5.0 mm
2
( 0.013 mm thick )
copper land areas.
25
50
75
100
125
T
L,
LEAD TEMPERATURE (
°
C)
150
175
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