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MURS160-7

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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MURS160-7概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

MURS160-7规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流35 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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SPICE MODELS: MURS140 MURS160
MURS140 - MURS160
1.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction
Super-Fast Recovery Time For High Efficiency
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability
Surge Overload Rating to 35A Peak
Ideally Suited for Automated Assembly
Available in Lead Free Finish/RoHS Compliant Version
(Note 5)
SMB
Dim
A
Min
3.30
4.06
1.96
0.15
5.00
0.10
0.76
2.00
Max
3.94
4.57
2.21
0.31
5.59
0.20
1.52
2.62
B
A
C
B
C
D
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Case: SMB
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Solder Plated Terminal - Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Also available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish). Please
see Ordering Information, Note 7, on Page 3
Marking:
MURS140: U1GB
MURS160: U1JB
D
J
E
G
H
H
G
E
J
All Dimensions in mm
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Ordering Information: See Page 3
Weight: 0.093 grams (approximate)
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@ T
T
= 150°C
@ T
T
= 125°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 3)
Forward Recovery Time (Note 4)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
t
fr
C
j
R
qJT
T
j
, T
STG
MURS140
400
283
1.0
2.0
35
1.25
1.05
5.0
150
50
50
45
13
-65 to +175
MURS160
600
424
Unit
V
V
A
A
V
mA
ns
ns
pF
K/W
°C
@ I
F
= 1.0A, T
J
= 25°C
@ I
F
= 1.0A, T
J
= 150°C
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 150°C
Unit mounted on PC board with 5.0 mm
2
(0.013 mm thick) copper pads as heat sink.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 0V DC.
Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A. See Figure 5.
Measured with I
F
= 1.0A, di/dt = 100A/ms, Duty Cycle
£
2.0%.
RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see
EU Directive Annex Notes 5 and 7.
DS30130 Rev. 6 - 2
1 of 3
www.diodes.com
MURS140 - MURS160
ã
Diodes Incorporated
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