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SB390

产品描述3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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SB390概述

3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

SB390规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.79 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压90 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SB320 - SB3B0
PRV : 20 - 100 Volts
I
O
: 3.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
High efficiency
Low power loss
Low forward voltage drop
Pb / RoHS Free
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIER DIODES
DO-201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.82)
1.00 (25.4)
MIN.
0.375 (9.52)
0.285 (7.24)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-201AD Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 1.1 grams
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375", 9.5mm Lead Length See Fig.1
Maximum Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half sine wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 3.0 A
Maximum Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage (Note 1)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV
)
SB SB SB SB SB SB SB SB SB
UNIT
320 330 340 350 360 370 380 390 3B0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
3.0
70
49
70
80
56
80
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
T
J
T
STG
- 65 to + 125
0.5
80
0.74
0.5
20
- 65 to + 150
- 65 to + 150
0.79
A
V
mA
mA
°C
°C
Notes :
(1) Pulse Test : Pulse Width = 300
µs,
Duty Cycle = 2%
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 25, 2005

SB390相似产品对比

SB390 SB320 SB320_05 DAC8550_15 SB340 SB350 SB360 SB370 SB380 SB3B0
描述 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 16-BIT, ULTRA-LOW GLITCH, VOLTAGE OUTPUT DIGITAL-TO-ANALOG CONVERTER 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD POWER CONNECTOR 3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 70 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD MEDIUM CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
是否Rohs认证 符合 符合 - - 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli - - compli compli compli compli compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS - - HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY - - EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE - - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.79 V 0.5 V - - 0.5 V 0.74 V 0.74 V 0.74 V 0.79 V 0.79 V
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD - - DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 - - O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A - - 80 A 80 A 80 A 80 A 80 A 80 A
元件数量 1 1 - - 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 - - 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 - - 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 125 °C - - 125 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C - - -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A - - 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND - - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM - - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 90 V 20 V - - 40 V 50 V 60 V 70 V 80 V 100 V
最大反向电流 500 µA 500 µA - - 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA 500 µA
表面贴装 NO NO - - NO NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY - - SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE - - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL - - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 - EIC [EIC discrete Semiconductors] - - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] -
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