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RBV2502D

产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIERS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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RBV2502D概述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

RBV2502D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流25 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

RBV2502D相似产品对比

RBV2502D RBV2500D_05 RBV2500D RBV2501D RBV2504D RBV2506D RBV2508D RBV2510D
描述 SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli compli compli
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 400 A - 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 4 - 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 25 A - 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
最大重复峰值反向电压 200 V - 50 V 100 V 400 V 600 V 800 V 1000 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO NO

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