M95080-RMN3G/G,M95080-RMN3G/G pdf中文资料,M95080-RMN3G/G引脚图,M95080-RMN3G/G电路-Datasheet-电子工程世界

M95080-RMN3G/G: 产品描述IC,SERIAL EEPROM,1KX8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC; 产品类别存储存储; 文件大小22KB，共1页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M95080-RMN3G/G概述

IC,SERIAL EEPROM,1KX8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC

1K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	1155499330
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
YTEOL	0
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
端子数量	8
字数	1024 words
字数代码	1000
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
认证状态	Not Qualified
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.004 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
写保护	HARDWARE/SOFTWARE

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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