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HN1D01FUTE85N

产品描述DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小65KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1D01FUTE85N概述

DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

HN1D01FUTE85N规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST RECOVERY
配置2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量4
相数1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压85 V
最大反向电流0.5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压80 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

HN1D01FUTE85N相似产品对比

HN1D01FUTE85N HN1D01FUTE85R HN1D01FUTE85L
描述 DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
配置 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS 2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流 2 A 2 A 2 A
元件数量 4 4 4
相数 1 1 1
端子数量 6 6 6
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 85 V 85 V 85 V
最大反向电流 0.5 µA 0.5 µA 0.5 µA
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
反向测试电压 80 V 80 V 80 V
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL

 
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