Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BY253GP-E3/4

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BY253GP-E3/4: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小85KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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BY253GP-E3/4概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

BY253GP-E3/4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	DO-201AD
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	100 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	3 µs
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40

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BY251GP thru BY255GP

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Junction Plastic Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure for High Reliability

application

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low forward voltage drop

nted

Pat

* Glass-plastic encapsulation

technique is covered by

Patent No. 3,996,602, and

brazed-lead assembly by

Patent No. 3,930,306

• Low leakage current, I

less than 0.1 µA

• High forward surge capability

DO-201AD

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in general purpose rectification of power

supplies, inverters, converters and free-wheeling

diodes for both consumer and automotive applications.

MECHANICAL DATA

Case:

DO-201AD, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

Terminals:

Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

Polarity:

Color band denotes cathode end

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

F(AV)

RRM

FSM

max.

3.0 A

200 V to 1300 V

100 A

5.0 µA

1.1 V

175 °C

MAXIMUM RATINGS

= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

Maximum non repetitive peak reverse voltage

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current 10 mm lead

length at T

= 55 °C

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

Maximum full load reverse current, full cycle average

10 mm lead length at T

= 55 °C

Operating junction and storage temperature range

SYMBOL

RSM

RRM

RMS

F(AV)

FSM

R(AV)

, T

STG

BY251GP BY252GP BY253GP BY254GP BY255GP

220

200

140

200

440

400

280

400

660

600

420

600

3.0

100

- 65 to + 175

880

800

560

800

1430

1300

910

1300

UNIT

µA

°C

Document Number 88541

23-Feb-07

www.vishay.com

BY253GP-E3/4相似产品对比

	BY253GP-E3/4	BY254GP-E3/4	BY255GP-E3/51	BY252GP-E3/51	BY251GP-E3/23	BY251GP-E3/4
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
零件包装代码	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
针数	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE	LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE	LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE	LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE	LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE	LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD	DO-201AD
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1
最大非重复峰值正向电流	100 A	100 A	100 A	100 A	100 A	100 A
元件数量	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最大输出电流	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	800 V	1300 V	400 V	200 V	200 V
最大反向恢复时间	3 µs	3 µs	3 µs	3 µs	3 µs	3 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40

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