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BZD27-C33T/R

产品描述DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小91KB,共14页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BZD27-C33T/R概述

DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

BZD27-C33T/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压31 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压46.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散300 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.8 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流5 µA
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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