Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
基于收集器的最大容量 | 8 pF |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 10000 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V |
SSTA28T216 | RXT-A28T100 | RXT-A28T200 | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A |
基于收集器的最大容量 | 8 pF | 8 pF | 8 pF |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V | 60 V |
配置 | DARLINGTON | DARLINGTON | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 10000 | 10000 | 10000 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PSSO-F3 | R-PSSO-F3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | SINGLE | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
VCEsat-Max | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
晶体管应用 | AMPLIFIER | SWITCHING | - |
外壳连接 | - | COLLECTOR | COLLECTOR |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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