75A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 900 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.014 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 650 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-218 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 200 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大开启时间（吨） | 1460 ns |
| STH75N06 | STH75N06FI | |
|---|---|---|
| 描述 | 75A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 | 48A, 60V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 900 mJ | 900 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A | 48 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A | 48 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.014 Ω | 0.014 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 650 pF | 650 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-218 | TO-218 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 200 W | 70 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 200 W | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A | 300 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大开启时间（吨） | 1460 ns | 1460 ns |
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