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SKIM304GD12T4D

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 285A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE SEMIX 4, 37 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共5页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKIM304GD12T4D概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 285A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE SEMIX 4, 37 PIN

SKIM304GD12T4D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X37
针数37
制造商包装代码CASE SEMIX 4
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)285 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X37
元件数量6
端子数量37
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)495 ns
标称接通时间 (ton)265 ns
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