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RBV2500

产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIERS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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RBV2500概述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

RBV2500规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流25 A
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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RBV2500 - RBV2510
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 25 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
High case dielectric strength of 2000 V
DC
Ideal for printed circuit board
Very good heat dissipation
Pb / RoHS Free
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
RBV25
3.9
±
0.2
C3
30
±
0.3
4.9
±
0.2
3.2
±
0.1
20
±
0.3
+
13.5
±
0.3
~ ~
11
±
0.2
1.0
±
0.1
MECHANICAL DATA :
* Case : Reliable low cost construction
utilizing molded plastic technique
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Terminals : Plated lead solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Any
* Weight : 8.17 grams ( Approximaly )
10
7.5 7.5
±0.2 ±0.2 ±0.2
2.0
±
0.2
0.7
±
0.1
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current Tc = 55°C
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Current Squared Time at t < 8.3 ms.
Maximum Forward Voltage per Diode at I
F
= 12.5 A
Maximum DC Reverse Current
Ta = 25
°C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 100
°C
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes :
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
I
R(H)
R
θ
JC
T
J
T
STG
RBV
2500
50
35
50
RBV
2501
100
70
100
RBV
2502
200
140
200
RBV
2504
400
280
400
25
300
375
1.1
10
200
1.45
RBV
2506
600
420
600
RBV
2508
800
560
800
17.5
±
0.5
RBV
2510
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
S
V
µA
µA
°C/W
°C
°C
- 40 to + 150
- 40 to + 150
1. Thermal resistance from junction to case with units mounted on a 5" x 6" x 4.9" (12.8cm.x 15.2cm.x 12.4cm.) Al.-Finned Plate
Page 1 of 2
Rev. 03 : September 9, 2005

RBV2500相似产品对比

RBV2500 RBV2500_05 RBV2501 RBV2502 RBV2506 RBV2504 RBV2508 RBV2510
描述 SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli compli compli
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 300 A - 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 - 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 25 A - 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
最大重复峰值反向电压 50 V - 100 V 200 V 600 V 400 V 800 V 1000 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO NO
vs2005 + wince6.0 链接错误(处理器类型)
..\Release\blit_mmx.obj : fatal error LNK1112: module machine type 'X86' conflicts with target machine type 'THUMB' 其中blit_mmx.obj是由blit_mmx.asm 生成的,此文件编译命令行为: ......
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