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MSM51V8221A-40ZS

产品描述Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-28
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文件大小222KB,共18页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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MSM51V8221A-40ZS概述

Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-28

MSM51V8221A-40ZS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码ZIP
包装说明ZIP, ZIP28,.1
针数28
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PZIP-T28
JESD-609代码e0
长度36 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP28,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度10.16 mm
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度2.8 mm

MSM51V8221A-40ZS相似产品对比

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描述 Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-28 Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO28, 0.430 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-28 Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO28, 0.430 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-28 Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PZIP28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-28 Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 Memory IC
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 ZIP, ZIP28,.1 SOJ, SOJ28,.44 SOP, SOP28,.45 SOP, SOP28,.45 ZIP, ZIP28,.1 SOJ, SOJ28,.44 ,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 -
零件包装代码 ZIP SOJ SOIC SOIC ZIP SOJ -
针数 28 28 28 28 28 28 -
JESD-30 代码 R-PZIP-T28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PZIP-T28 R-PDSO-J28 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 -
长度 36 mm 18.41 mm 18.5 mm 18.5 mm 36 mm 18.41 mm -
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit -
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT -
内存宽度 8 8 8 8 8 8 -
功能数量 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 28 28 28 28 28 28 -
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words -
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 ZIP SOJ SOP SOP ZIP SOJ -
封装等效代码 ZIP28,.1 SOJ28,.44 SOP28,.45 SOP28,.45 ZIP28,.1 SOJ28,.44 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 10.16 mm 3.75 mm 2.5 mm 2.5 mm 10.16 mm 3.75 mm -
最大待机电流 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A -
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA -
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V -
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V -
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V -
表面贴装 NO YES YES YES NO YES -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE J BEND -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 ZIG-ZAG DUAL DUAL DUAL ZIG-ZAG DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
宽度 2.8 mm 10.16 mm 8.8 mm 8.8 mm 2.8 mm 10.16 mm -
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