US1B: 产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小57KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

1 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-214交流

US1B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明	SMA, 2 PIN
Reach Compliance Code	compli
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	1 A
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	YES
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

US1A - US1M

PRV : 50 ~ 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

FEATURES :

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

Fast switching for high efficiency

Pb / RoHS Free

SURFACE MOUNT

ULTRA FAST RECTIFIERS

SMA

1.3

0.2

5.3

0.35

4.2

0.25

2.3

0.2

1.6

0.25

2.6

0.15

MECHANICAL DATA :

* Case : SMA Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.060 gram (Approximately)

1.6

0.25

Dimensions in millimeters

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum Continuous Reverse Voltage

Maximum Average Forward Current

Maximum non-repetitive peak forward current

8.3ms Single half sine wave,

Maximum Instantaneous Forward Voltage at I

= 1.0 A

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Maximum Reverse Recovery Time

(1)

Typical Junction Capacitance

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Notes :

(2)

SYMBOL US1A

RRM

RMS

F(AV)

FSM

R(H)

Trr

STG

US1B

100

US1D US1G

200

140

200

400

280

400

1.0

US1J

600

420

600

US1K US1M

800

560

800

1000

700

1000

UNIT

1.1

- 65 to + 175

1.7

μA

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

(1) Reverse Recovery Test Conditions : I

= 0.5 A, I

= 1.0 A, Irr = 0.25 A.

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V

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Rev. 06 : September 23, 2008

US1B相似产品对比

	US1B	US1A	US1G	US1D	US1J	US1K	US1M
描述	1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC	1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC	1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC	1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC	SIGNAL DIODE	1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	EIC [EIC discrete Semiconductors]	-	-	EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明	SMA, 2 PIN	SMA, 2 PIN	SMA, 2 PIN	SMA, 2 PIN	-	-	-
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-
最大正向电压 (VF)	1 V	-	1 V	1 V	1.7 V	-	-
最大非重复峰值正向电流	30 A	-	30 A	30 A	30 A	-	-
元件数量	1	-	1	1	1	-	-
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	-	-
最大输出电流	1 A	-	1 A	1 A	1 A	-	-
最大重复峰值反向电压	100 V	-	400 V	200 V	600 V	-	-
最大反向恢复时间	0.05 µs	-	0.05 µs	0.05 µs	0.075 µs	-	-
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	-	-

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