Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 82A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS |
| 零件包装代码 | WAFER |
| 包装说明 | WAFER |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW LEAKAGE |
| 应用 | FAST RECOVERY |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 最大输出电流 | 82 A |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 1200 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 35 |
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