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RM3

产品描述2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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RM3概述

2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

RM3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流2.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
参考标准TS 16949
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

RM3相似产品对比

RM3 RM3A RM3B
描述 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compli compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.95 V - 0.95 V
JEDEC-95代码 DO-201AD - DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 - O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 150 A - 150 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
最大输出电流 2.5 A - 2.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
参考标准 TS 16949 - TS 16949
最大重复峰值反向电压 400 V - 800 V
最大反向电流 10 µA - 10 µA
表面贴装 NO - NO
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL
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