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RH1A

产品描述0.6 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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RH1A概述

0.6 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RH1A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
二极管类型RECTIFIER DIODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RH1 - RH1C
PRV : 400 - 1000 Volts
Io : 0.6 Ampere
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
Fast switching for high efficiency
Pb / RoHS Free
FAST RECOVERY
RECTIFIER DIODES
D2
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
MIN.
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
MECHANICAL DATA :
* Case : D2 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.465 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
RATING
Maximum Peak Reverse Voltage
Maximum Peak Reverse Surge Voltage
Maximum Average Forward Current
,Ta = 50°C
SYMBOL
V
RRM
V
RSM
I
F(AV)
RH1
400
450
RH1A RH1B RH1C
600
650
0.6
800
850
1000
1050
UNIT
V
V
A
Maximum Peak Forward Surge Current
( 50 Hz, Half-cycle, Sine wave, Single Shot )
Maximum Forward Voltage at I
F
= 0.6 A
Maximum Reverse Current at V
R
= V
RM
Maximum Reverse Current at V
R
= V
RM
Ta = 25
°C
Ta = 150
°C
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
Trr
T
J
T
STG
35
1.3
5.0
70
4.0
- 40 to + 150
- 40 to + 150
A
V
µA
µA
µs
°C
°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Note :
( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I
F
= 10 mA, I
RP
= 10 mA.
Page 1 of 2
Rev. 02 : March 25, 2005

RH1A相似产品对比

RH1A RH1 RH1B RH1C
描述 0.6 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.6 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.6 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.6 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compli - compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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