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RD36JS

产品描述SILICON ZENER DIODES
文件大小57KB,共3页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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RD36JS概述

SILICON ZENER DIODES

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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07/1033
RD4.7JS ~ RD39JS
V
Z
: 4.7 - 39 Volts
P
D
: 400 mW
SILICON ZENER DIODES
DO - 34 Glass
0.078 (2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
FEATURES :
* Complete 4.7 to 39 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
Cathode
Mark
0.118 (3.0)
max.
0.017 (0.43)max.
1.00 (25.4)
min.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-34 Glass Case
Weight:
approx. 0.13g
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
Power Dissipation
Forward Current
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
I
F
T
j
T
s
Value
400
150
- 55 to + 175
- 55 to + 175
Unit
mW
mA
°C
°C
Derating Curve
700
Power Dissipation , P
D
(mW)
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
Ambient Temperture , Ta (
°
C)
Page 1 of 3
Rev. 03 : December 3, 2008
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