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RBV1506D: 产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIERS; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小88KB，共2页; 制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]; 标准

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RBV1506D概述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

RBV1506D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compli
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
最大非重复峰值正向电流	300 A
元件数量	4
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	15 A
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	600 V
表面贴装	NO
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

RBV1500D - RBV1510D

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 15 Amperes

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

RBV25

3.9

0.2

0.3

4.9

0.2

∅

3.2

0.1

0.3

FEATURES :

High current capability

High surge current capability

High reliability

Low reverse current

Low forward voltage drop

High case dielectric strength of 2000 V

Ideal for printed circuit board

Very good heat dissipation

Pb / RoHS Free

13.5

0.3

~ ~

0.2

1.0

0.1

MECHANICAL DATA :

* Case : Reliable low cost construction

utilizing molded plastic technique

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

* Weight : 8.11 grams ( Approximaly )

10 7.5 7.5

±0.2 ±0.2 ±0.2

2.0

0.2

0.7

0.1

Dimensions in millimeters

Rating at 25

°C

ambient temperature unless otherwise specified .

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

RATING

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current Tc = 55°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

Maximum Forward Voltage per Diode at I

= 15 A

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Notes :

SYMBOL

RBV

1500D 1501D 1502D 1504D 1506D 1508D 1510D

100

200

140

200

400

280

400

300

375

1.1

200

1.5

- 40 to + 150

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

17.5

0.5

UNIT

μA

°C/W

°C

RRM

RMS

F(AV)

FSM

R(H)

ӨJC

STG

Ta = 25

°C

Ta = 100

°C

1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 5" x 4" x 3" (12.7cm.x 10.2cm.x 7.3cm.) Al.-Finned Plate.

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Rev. 04 : Decsember 12, 2005

RBV1506D相似产品对比

	RBV1506D	RBV1500D	RBV1500D_05	RBV1502D	RBV1501D	RBV1504D	RBV1510D	RBV1508D
描述	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	-	compli	compli	compli	compli	compli
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	-	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
最大非重复峰值正向电流	300 A	300 A	-	300 A	300 A	300 A	300 A	300 A
元件数量	4	4	-	4	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	15 A	15 A	-	15 A	15 A	15 A	15 A	15 A
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	600 V	50 V	-	200 V	100 V	400 V	1000 V	800 V
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1	-	1	1	1	1	1

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