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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RBV1006D
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RBV1006D

产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIERS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB，共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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RBV1006D概述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

RBV1006D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压600 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
参考标准TS 16949
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
RBV1000D - RBV1010D
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 10 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
High case dielectric strength of 2000 V
DC
Ideal for printed circuit board
Very good heat dissipation
Pb / RoHS Free
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
RBV25
3.9
±
0.2
C3
30
±
0.3
4.9
±
0.2
∅
3.2
±
0.1
20
±
0.3
+
13.5
±
0.3
~ ~
11
±
0.2
1.0
±
0.1
MECHANICAL DATA :
* Case : Reliable low cost construction
utilizing molded plastic technique
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Terminals : Plated lead solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
* Polarity : Polarity symbols marked on case
* Mounting position : Any
* Weight : 7.97 grams ( Approximaly )
10 7.5 7.5
±0.2 ±0.2 ±0.2
2.0
±
0.2
0.7
±
0.1
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current Tc = 55°C
Peak Forward Surge Current Single half sine wave
Superimposed on rated load (JEDEC Method)
Current Squared Time at t < 8.3 ms.
Maximum Forward Voltage per Diode at I
F
= 10 A
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance (Note 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
RBV
RBV
RBV
RBV
RBV
RBV
RBV
1000D 1001D 1002D 1004D 1006D 1008D 1010D
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
10
300
166
1.1
10
200
2.2
- 40 to + 150
- 40 to + 150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
17.5
±
0.5
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
S
V
μA
μA
°C/W
°C
°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
I
R(H)
R
ӨJC
T
J
T
STG
Notes :
1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 3.2" x 3.2" x 0.12" (8.2cm.x 8.2cm.x 0.3cm.) Al.-Finned Plate.
Page 1 of 2
Rev. 04 : Decsember 12, 2005

RBV1006D相似产品对比

RBV1006D RBV1000D_05 RBV1002D RBV1001D RBV1004D RBV1008D RBV1010D
描述 SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明 R-PSFM-T4 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最小击穿电压 600 V - 200 V 100 V 400 V 800 V 1000 V
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V - 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 300 A - 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 - 4 4 4 4 4
相数 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 4 - 4 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 10 A - 10 A 10 A 10 A 10 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
参考标准 TS 16949 - TS 16949 TS 16949 TS 16949 TS 16949 TS 16949
最大重复峰值反向电压 600 V - 200 V 100 V 400 V 800 V 1000 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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