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PTZ6.8B

产品描述6.8 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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PTZ6.8B概述

6.8 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

PTZ6.8B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗6 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
参考标准TS 16949
标称参考电压6.8 V
最大反向电流20 µA
反向测试电压3.5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max3.2 mV/°C
最大电压容差6.21%
工作测试电流40 mA
Base Number Matches1

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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07/1033
PTZ3.6B - PTZ36B
V
Z
: 3.6 - 36 Volts
P
D
: 1.0 Watts
FEATURES :
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
SURFACE MOUNT SILICON
ZENER DIODES
SMA
1.3
±
0.2
5.3
±
0.35
4.2
±
0.25
2.3
±
0.2
1.6
±
0.25
2.6
±
0.15
MECHANICAL DATA :
* Case : SMA Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.060 gram (Approximately)
1.6
±
0.25
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
T
J
T
STG
Value
1.0
150
- 55 to + 150
Unit
W
ºC
ºC
Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE
1.2
POWER DISSIPATION, P
D
(W)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
AMBIENT TEMPERATURE, Ta (ºC)
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