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MZ4737A

产品描述SILICON ZENER DIODES
文件大小88KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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MZ4737A概述

SILICON ZENER DIODES

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Certificate
:
TH97/10561QM
Certificate :
TW00/17276EM
MZ4728A - MZ4764A
MZ1110A - MZ1200A
V
Z
: 3.3 - 200 Volts
P
D
: 1 Watt
FEATURES :
* Complete voltage range 3.3 to 200 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
* Pb / RoHS Free
SILICON ZENER DIODES
M1A
0.085(2.16)
0.075(1.91)
1.00 (25.4)
MIN.
0.138(3.51)
0.122(3.10)
0.024(0.60)
0.022(0.55)
1.00 (25.4)
MIN.
MECHANICAL DATA :
* Case : M1A Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.20 gram (approximately)
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Rating
DC Power Dissipation at T
L
= 50 °C (Note1)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
V
F
R
ӨJA
T
J
T
STG
Value
1.0
1.2
170
- 55 to + 175
- 55 to + 175
Unit
Watt
Volts
K/W
°C
°C
Notes :
(1) T
L
= Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body
(2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case.
Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE
1.25
P
D
, MAXIMUM DISSIPATION
(WATTS)
L = 3/8" (9.5mm)
1.00
0.75
0.50
0.25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
L,
LEAD TEMPERATURE (
°
C)
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