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SF1004G-Q1A

产品描述Rectifier Diode, 10A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小102KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SF1004G-Q1A概述

Rectifier Diode, 10A, 200V V(RRM),

SF1004G-Q1A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流125 A
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

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Pr
el
im
in
SF1004G-Q1
ar
10.0 AMPS. Glass Passivated Super Fast Rectifiers
y
Voltage Range
200 Volts
Current
10.0 Amperes
Features
a
a
a
a
a
a
a
a
a
TO-220
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-
Terminals:
202, Method 208 guaranteed
Polarity: As marked
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds .16”,(4.06mm) from
case.
Weight: 2.24 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
a
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
SF1004G-Q1
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
200
Maximum RMS Voltage
140
Maximum DC Blocking Voltage
200
Maximum Average Forward Rectified Current
.375 (9.5mm) Lead Length @T
C
= 100°C
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 5.0A
@10.0A
Maximum DC Reverse Current @ T
A
=25°C
at Rated DC Blocking Voltage @ T
A
=100°C
Reverse Recovery Charge(Per Diode) QS
@IF=2A, VR? 30V,-dIF/dt=20A/uS
Thermal resistance Junction to Case RthJ-C
(Note 3)
2
Rating for Fusing (t < 8.3mS) I t
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating Temperature Range T
J
Storage Temperature Range T
STG
Units
V
V
V
A
A
V
10.0
125
1.1
1.25
10.0
500
9
3.0
65
25
10
-50 to +150
-50 to +150
uA
uA
NC
°C/W
A
2
S
nS
pF
°C
°C
Notes: 1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Notes:
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
Notes:
3. Thermal Resistance from Junction to Case Mounted on Heatsink.
- 140 -

SF1004G-Q1A相似产品对比

SF1004G-Q1A SF1004G-Q1D
描述 Rectifier Diode, 10A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 10A, 200V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
湿度敏感等级 1 1
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 10 A 10 A
最大重复峰值反向电压 200 V 200 V
表面贴装 NO NO

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