Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M95128-RMN6TP/P

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M95128-RMN6TP/P: 产品描述16K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8; 产品类别存储存储; 文件大小250KB，共44页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M95128-RMN6TP/P概述

16K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

16K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

M95128-RMN6TP/P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 40 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
内存密度	131072 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.000003 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches	1

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M95128

M95128-W M95128-R

128 Kbit serial SPI bus EEPROM

with high speed clock

Features

■

Compatible with SPI bus serial interface

(positive clock SPI modes)

Single supply voltage:

– 4.5 to 5.5 V for M95128

– 2.5 to 5.5 V for M95128-W

– 1.8 to 5.5 V for M95128-R

High speed

– 10 MHz clock rate, 5 ms write time

Status Register

Hardware protection of the Status Register

Byte and Page Write (up to 64 bytes)

Self-timed programming cycle

Adjustable size read-only EEPROM area

Enhanced ESD protection

More than 1 000 000 write cycles

More than 40-year data retention

Packages

– ECOPACK2

(RoHS compliant and

Halogen-free)

UFDFPN8 (MB)

2 × 3 mm

TSSOP8 (DW)

169 mil width

SO8 (MN)

150 mil width

■

March 2010

Doc ID 5798 Rev 13

1/44

www.st.com

Contents

M95128, M95128-W, M95128-R

Contents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Memory organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

3.7

3.8

Serial Data output (Q) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Serial Data input (D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Serial Clock (C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Chip Select (S) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Hold (HOLD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

Write Protect (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Supply voltage (V

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3.8.1

3.8.2

3.8.3

3.8.4

Operating supply voltage V

CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Device reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Power-up conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Power-down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Operating features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4.1

4.2

4.3

Hold condition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Status Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Data Protection and protocol control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Instructions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

5.1

5.2

5.3

Write Enable (WREN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Disable (WRDI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Status Register (RDSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

5.3.1

5.3.2

5.3.3

5.3.4

WIP bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

WEL bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

BP1, BP0 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

SRWD bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

5.4

5.5

Write Status Register (WRSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Read from Memory Array (READ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

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Doc ID 5798 Rev 13

List of tables

M95128, M95128-W, M95128-R

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Signal names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Write-protected block size . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Instruction set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Status Register format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

Protection modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Operating conditions (M95128) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Operating conditions (M95128-W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Operating conditions (M95128-R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

AC measurement conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

DC characteristics (M95128, device grade 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

DC characteristics (M95128-W, device grade 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

DC characteristics (M95128-W, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

DC characteristics (M95128-R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

AC characteristics (M95128, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

AC characteristics (M95128-W, device grade 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

AC characteristics (M95128-W, device grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

AC characteristics (M95128-R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

SO8N – 8-lead plastic small outline, 150 mils body width, package

mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

TSSOP8 – 8-lead thin shrink small outline, package mechanical data. . . . . . . . . . . . . . . . 37

UFDFPN8, 8-lead ultra thin fine pitch dual flat package no lead 2 x 3 mm,

mechanical data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Ordering information scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

Available M95128x products (package, voltage range, temperature grade) . . . . . . . . . . . 40

Document revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

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M95128, M95128-W, M95128-R

List of figures

Figure 1.

Figure 2.

Figure 3.

Figure 4.

Figure 5.

Figure 6.

Figure 7.

Figure 8.

Figure 9.

Figure 10.

Figure 11.

Figure 12.

Figure 13.

Figure 14.

Figure 15.

Figure 16.

Figure 17.

Figure 18.

Figure 19.

Figure 20.

Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

SO, UFDFPN and TSSOP connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Block diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Hold condition activation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Write Enable (WREN) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Write Disable (WRDI) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

Read Status Register (RDSR) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

Write Status Register (WRSR) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Read from Memory Array (READ) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Byte Write (WRITE) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Page Write (WRITE) sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

Bus master and memory devices on the SPI bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

SPI modes supported . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

AC measurement I/O waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Serial input timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Hold timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Serial output timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

SO8N – 8-lead plastic small outline, 150 mils body width, package outline . . . . . . . . . . . . 36

TSSOP8 – 8-lead thin shrink small outline, package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

UFDFPN8, 8-lead ultra thin fine pitch dual flat package no lead 2 x 3 mm, outline . . . . . . 38

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　　飞利浦医疗执行副总裁兼首席执行官Steve Rusckowski在越南河内举办的“第二届东盟地区医疗业研讨会”上呼吁东盟地区医疗领域更广泛的合作和投资，以应对该地区不断增长的医疗需求。在演讲中，Rusckowski先生指出，某些全球性问题如人口老龄化，慢性疾病发病率增高等以及一些区域性问题如基础设施以及训练有素的医护人员的缺乏等正在剥夺东盟地区人群享有高质量且价格合理的医疗服务的权利。 ...[详细]
牛津半导体推高度集成的NAS和RAID平台

　　2008年7月21日-牛津半导体推出最新存储平台，提供数字生活方式可靠，稳健的存储系统连接。　　牛津半导体推出了高度集成的OXE810x NAS平台，旨在桥接以太网(Ethernet)和多达两个SATA 硬盘。该公司还推出了OXUFS936x的RAID平台，为直接附加储存装置(DAS)提供至SATA调制解调器储存与整合硬件RAID控制器还原装置的通用接口(即USB2.0/FireWire...[详细]
PXI射频模块仪表在手机生产测试上的应用

　　如今的手机生产测试面临越来越复杂的环境，一边是多种频段和多制式的挑战，一边是生产测试速度的压力，同时还面临测试成本的压力。确定手机射频参数和功能检验测试的合适的深度和广度是比较复杂的，它需要我们随着生产线的变化，产品本身的成熟度的提升不断寻找平衡点。射频校准在整个生产流程中，它是一个增加产品价值的步骤，它的测试要求直接与产品的设计有关。生产测试流程　　这里的生产测试不包括PCB（...[详细]
东工大与柯尼卡美能达试制出无铅类喷墨头

【日经BP社报道】东京工业大学研究生院理工学研究专业的鹤见敬章教授率领的研究小组与柯尼卡美能达集团下属的业务公司柯尼卡美能达IJ（东京都日野市），采用不含铅的新型压电材料“KNN”（钾、钠及铌元素符号的第一个字母）试制出了喷墨头，并成功喷出油墨微粒子。此次试制的喷墨头为采用剪力式（Share Mode：不是通过压电元件的伸缩变形，而是通过切断变形来喷射油墨的方式）驱动压电元件的新型产品。 ...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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